等离子体镀膜系统/磁控溅射镀膜系统

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等离子体镀膜系统/磁控溅射镀膜系统

CPT-CCP-300JS-A/CPT-CCP-500JS-A

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13696526115

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由安徽省金屹等离子体电源科技有限公司出品


产品介绍

纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于高校、科研院所的薄膜材料的科研与小批量制备。


等离子体镀膜系统

利用真空等离子体中特有人性质,通过蒸发、溅射或气相沉积的方法,实现薄膜的制备。根据的等离子体工艺和镀膜原理的不同,大致分为阴极弧离子镀、磁控溅射和等离子体增强化学气相沉积等。中科等离子公司采用多种等离子体源技术,结合薄膜生长调控工艺,研发了多款等离子体真空镀膜设备。


等离子体镀膜系统

主要由溅射真空室、永磁磁控溅射靶、基片加热台、等离子体电源(直流 /中频/射频电源)、工作气路、抽气系统、真空测量、电控系统及安装机台等部分组成。


设备参数
型号 CPT-CCP-300JS-A CPT-CCP-500JS-A
真空室尺寸,mm Φ300*H400 Φ500*H550
极限真空度,Pa 6.0×10-5 6.0x10-5
抽真空时间 连续30min内,≤5×10-4Pa 连续30min内,≤5×10-4Pa
真空泵 机械泵+分子泵 机械泵+分子泵
磁控靶种类和数量 2英寸圆柱形磁控靶2个 2英寸圆柱形磁控靶3个
基片尺寸,mm ≤120 ≤120
基片加热温度,℃ ≤300 ≤300
基片旋转速度,r/min 0~100 0~100
工艺气体 2路 3路
控制方式 手动/自动一体化方式、触摸屏操作 手动/自动一体化方式、触摸屏操作
设备占地面积,mm L800×W900×H1900 L900×W1000×H2100