等离子体增强化学气相沉积系统
等离子体增强化学气相沉积系统
CPT-CCP-350CJ-A
所属公司：
由安徽省金屹等离子体电源科技有限公司出品
| 应用范围 |
用于沉积SiOx、SiNx 和SixNy、非晶硅、类金刚石薄膜，光学薄膜、阻隔膜等。可广泛应用于高校和科研院所的薄膜材料科研与小批量制备。 |
| 系统简介 |
等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 是借助于辉光放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新型制备技术。相比较其他沉积技术，如PVD和热CVD相比,PECVD可以在相对较低的温度下沉积出高均匀性薄膜。此外，对于SiO2,SiNx, a-Si, SiON 和DLC等材料的沉积，PECVD沉积技术提供了优秀的薄膜性能控制(折射率、硬度等)。系统主要由真空腔体、加热系统、等离子体电源、工作气路、抽气系统、真空测量、电控系统及安装机台等部分组成。 |
| 产品特点 |
外观结构紧凑，方便移动、操作简单、维保方便。 适配多种等离子体源，可选配具有沐浴头电极的电容耦合等离子体源、空心阴极射频等离子体源、感应耦合等离子体源或微波等离子体源等。 配置有偏压接入接口，可根据工艺需要选配射频或直流脉冲偏压。 成膜均匀性好，可实现大面积成膜，最大可达8英寸。 智能化的触摸屏控制系统，设置有急停保护和安全联锁。 |
| 设备参数 | 真空室尺寸 | 极限真空度 |
| Φ350*H300mm | 6.5×10-5Pa | |
| 抽真空时间 | 真空泵 | |
| 连续40min内,≤8×10-4Pa | 机械泵+分子泵 | |
| 射频电源 | 基片台 | |
| 13.56MHz，1.0kW | Φ100mm | |
| 基片加热温度 | 气路系统 | |
| ≤600℃ | 4-8路 | |
| 控制方式 | 备注 | |
| 手动/自动一体化方式、触摸屏操作 | 可根据客户需求定制设计 |
